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您正在寻找一颗能扛起高速数据缓冲重任的“老兵”吗？MT49H16M18CBM-25 IT:B TR正是这样一位久经沙场的伙伴。它拥有288Mb的存储容量和18位并行数据总线，结合400MHz的高速时钟，能让您的系统轻松应对密集的数据读写任务，显著提升处理效率。

这颗芯片采用1.8V左右低电压运行，并支持-40°C到85°C的工业级温度范围，确保在各类严峻环境下依然稳定可靠。其144-TFBGA的紧凑封装，非常适合空间受限的嵌入式设计，让您高效集成，快速实现产品性能升级。

• 型号:MT49H16M18CBM-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18CBM-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。