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更重要的是，它懂得如何“聪明”地工作。其宽广的电压适应范围（1.14V~1.95V）让您的系统可以根据任务需求动态调节功耗，在需要时全力冲刺，在闲置时深度节能，从而显著延长电池续航。无论是智能手机、平板还是各种嵌入式设备，它都能让您在享受高效性能的同时，轻松赢得更长的使用时间。

• 型号:EDB4432BBBJ-1D-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
• EDB4432BBBJ-1D-F-R，Micron（美光）产品一站式供应商。