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还在为寻找一颗能扛住压力、稳定输出的内存芯片而烦恼吗？MT41K512M8THD-15E:D正是为您排忧解难的得力助手。这颗来自美光科技的4Gb DDR3 SDRAM芯片，能以高达667MHz的速度高效处理数据，13.5ns的快速响应让系统延迟大幅降低，轻松应对实时性要求高的任务。

它采用低至1.283V~1.45V的工作电压，在提供强劲性能的同时兼顾能效，帮助您优化系统功耗。其坚固的78-TFBGA封装和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了在各种复杂环境下都能稳定运行，极大提升了您产品的可靠性与适应性。选择它，就是为您的系统装备了一个高效、可靠且经久耐用的数据引擎。

• 型号:MT41K512M8THD-15E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41K512M8THD-15E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。