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RC28F640P30B85B TR 零件图片(仅供参考)

RC28F640P30B85B TR
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RC28F640P30B85B TR 规格参数

还在寻找一颗能高速执行代码、可靠保存数据的核心存储芯片吗?RC28F640P30B85B TR正是您需要的答案。这颗美光StrataFlash并行NOR闪存,拥有64Mb(4M x 16)的容量,能以高达52MHz的速度和仅85ns的访问时间响应处理器请求,让您的系统启动更快、运行更流畅。

它采用1.7V~2V低电压工作,有效降低系统功耗,其宽温(-40°C ~ 85°C)特性确保在严苛环境下稳定如一。无论是存储关键引导代码、系统固件还是应用参数,它都能提供非易失的可靠保障。通过简单的并联接口,您可以轻松将其集成到您的设计中,为工业控制、通信设备等高要求应用构建坚实的数据基石。

  • 型号:RC28F640P30B85B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:64-EasyBGA(10x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:64Mbit
  • 存储器组织:4M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:52 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:85ns
  • 访问时间:85 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:64-TBGA
  • 供应商器件封装:64-EasyBGA(10x13)
  • RC28F640P30B85B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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RC28F640P30B85B TR 基本参数:

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