我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时满足海量存储与疾速响应的“全能型”存储芯片吗？MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR就是您的理想答案。这颗美光科技的1.125Tb并行NAND闪存，旨在成为您高端设备的数据中枢，让您轻松驾驭TB级的数据洪流。

它凭借144G x 8的庞大容量和333MHz的高速时钟，为您提供堪比数据仓库的存储空间和闪电般的传输通道。无论是用于缓存加速、还是作为主存储介质，都能让您的系统运行如飞，高效处理最繁重的数据任务。其2.5V~3.6V的宽电压设计和0°C~70°C的工业温度范围，确保了在各种应用环境下的出色稳定性和可靠性。

选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的数据心脏，让复杂的数据存储与访问变得简单而高效，直接提升终端产品的整体竞争力和用户体验。

• 型号:MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1.125TBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1.125Tb
• 存储器组织:144G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。