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还在为存储速度拖慢系统而烦恼吗？NP8P128AE3T1760E是您破局的关键！这颗128Mb容量的相变存储器（PCM），能为您提供高达135ns的闪电般写入与读取速度，彻底告别传统闪存的漫长等待，让您的嵌入式系统数据处理效率飙升。

它采用先进的PCM（PRAM）技术，无需擦除即可直接写入，支持字节级随机操作，大幅提升了使用寿命和可靠性。无论是通过并联接口进行高速批量传输，还是利用SPI接口简化设计，它都能灵活应对。宽电压范围和工业级温度适应性，让您的产品在各类严苛环境中稳定运行，轻松应对工业控制、汽车电子、高端通信等领域的挑战。

• 型号:NP8P128AE3T1760E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-EasyBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PCM 128MBIT PAR 64EASYBGA
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:PCM（PRAM）
• 技术:PCM（PRAM）
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联，SPI
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:135ns
• 访问时间:135 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-EasyBGA（8x10）
• NP8P128AE3T1760E，Micron（美光）产品一站式供应商。