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还在寻找一颗能扛重任、让系统运行更流畅的存储核心吗？NAND512R3A2SZAXE就是您的答案。这颗512Mb（64M x 8）的并行NAND闪存，能以高达50ns的迅捷速度处理数据读写，让您的设备告别卡顿，实现高效运行。

它专为 demanding 应用而设计，1.7V~1.95V的低电压供电帮助您节能降耗，而-40°C至85°C的宽广工作温度范围，则确保它在酷暑严寒或工业环境中都能稳定如一。无论是存储关键程序、记录实时日志还是保存用户数据，它都能让您轻松应对，为您的嵌入式产品注入可靠持久的存储动力。

• 型号:NAND512R3A2SZAXE
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512R3A2SZAXE，Micron（美光）产品一站式供应商。