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还在为嵌入式系统寻找一颗稳定、高效的存储核心吗？NAND512R3A2SZA6F就是您理想的解决方案。这颗512Mb并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的迅捷速度响应您的读写指令，让您的设备数据处理如行云流水般顺畅。

它采用1.7V~1.95V低电压运行，显著优化系统功耗，延长设备续航。同时，其坚固的设计支持-40°C至85°C的宽温工作范围，无论您的产品应用于严寒的户外还是炎热的机箱内部，都能确保数据存储的绝对稳定与可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:NAND512R3A2SZA6F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512R3A2SZA6F，Micron（美光）产品一站式供应商。