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还在为您的嵌入式设备寻找一颗可靠的数据存储核心吗？NAND512R3A2SZA6E能为您提供坚实保障。这颗512Mb（64M x 8）的并行NAND闪存芯片，拥有高达50ns的快速访问与写入速度，让您的系统数据读写如行云流水般高效。

它采用1.7V~1.95V低电压供电，有效帮助您降低整体功耗。其宽广的-40°C至85°C工业级工作温度范围，确保设备即使在极端严寒或高温环境下也能稳定运行，数据万无一失。紧凑的63-TFBGA封装，更为您的产品设计节省了宝贵的空间。

无论是工业控制、网络设备还是需要长期可靠存储的消费电子产品，NAND512R3A2SZA6E都能轻松胜任，成为您系统中沉默却强大的数据基石。

• 型号:NAND512R3A2SZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512R3A2SZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。