我们为全球各个行业提供Micron（美光） NAND512R3A2CZA6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛重任、经久耐用的存储核心吗？NAND512R3A2CZA6E就是您的答案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NAND闪存，能以50ns的高速响应您的数据调用，并在1.7V~1.95V的低压下高效运行，显著优化系统功耗。

它专为严苛环境而生，-40°C至85°C的宽温工作能力，让您的设备无论面对严寒或酷暑，都能保证数据存储的稳定与安全。其经典的64M x 8架构和并行接口，让您的系统能够轻松、高效地处理固件、参数配置及用户数据，极大简化了您的设计工作。

选择它，就是为您的工业控制、汽车电子、网络通信等应用，选择了一位值得信赖的“数据管家”，让您在产品全生命周期内都无后顾之忧。

• 型号:NAND512R3A2CZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512R3A2CZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。