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还在寻找一颗能扛得住严苛环境、读写迅捷的存储核心吗？NAND256W3A0BZA6E就是您的答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的速度响应您的数据调用与存储指令，让您的系统运行如飞。

它专为 demanding 应用而生，宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持让它无惧环境挑战，无论是工业现场还是户外设备，都能确保数据存储的绝对可靠。其紧凑的55-TFBGA封装更让您能轻松优化电路板布局，为产品设计赢得更多空间。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲而稳定的数据心脏。

• 制造商产品型号：NAND256W3A0BZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Mb（32M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：55-TFBGA
• NAND256W3A0BZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。