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还在寻找一颗能扛得住时间考验、为您的成熟产品提供稳定数据存储核心的芯片吗？NAND128W3A0BN6E正是您的理想选择。这颗由美光科技出品的128Mb并行NAND闪存，采用经典的16M x 8架构，能以高达50ns的速度响应您的读写指令，让数据存取高效流畅。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并适应-40°C到85°C的严苛温度环境，确保您的设备在各种条件下都能可靠运行。其48-TSOP封装形式便于表面贴装，让您的PCB设计更紧凑，生产集成更轻松。选择它，就是为您的嵌入式系统选择一个久经沙场、值得信赖的数据存储基石。

• 型号:NAND128W3A0BN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND128W3A0BN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。