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还在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的核心存储芯片吗？NAND02GR3B2DN6E正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，拥有高达45ns的极速访问与写入能力，能让您的嵌入式系统数据处理如行云流水，彻底告别等待。

它采用1.7V~1.95V低电压供电，节能高效，并具备-40°C至85°C的宽温工作能力，无论是严苛的工业环境还是复杂的车载应用，都能确保数据存储的稳定与可靠。其经典的48-TSOP封装让您轻松完成表面贴装，集成更简便。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、耐用且值得信赖的数据引擎。

• 型号:NAND02GR3B2DN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND02GR3B2DN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。