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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR将彻底改变这一局面。这颗美光出品的12Gb移动LPDDR4 DRAM，能以高达1.866GHz的速度疾速响应，让您的应用程序运行如飞，轻松应对多任务处理与大型数据负载。

它专为追求高效能与低功耗的现代设备设计，0.6V/1.1V的双电压供电在提供强劲动力的同时，显著优化能效，有效延长电池续航。其宽温特性（-30°C ~ 85°C）与可靠的表面贴装形式，让您能放心地将其集成到从消费电子到汽车系统的各种严苛环境中，为产品的稳定与流畅保驾护航。

• 型号:MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。