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更令人惊喜的是，它采用先进的0.6V/1.1V低电压供电，在释放高性能的同时，大幅降低功耗，有效延长手机、平板等便携设备的电池续航。其宽达-40°C至95°C的工作温度范围和紧凑的200球WFBGA封装，让您的设计从容应对工业、车载等严苛环境，并节省宝贵的PCB空间。选择它，就是选择了一条高效、可靠且经过验证的性能升级路径。

• 型号:MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。