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MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR 零件图片(仅供参考)

MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR
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MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR 规格参数

您是否正在寻找一颗能瞬间提升设备性能的内存解决方案?MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR正是为此而生。这颗来自美光科技的48Gb移动LPDDR4 DRAM,以2133MHz的高频时钟为您的高速应用铺平道路,让海量数据存取变得前所未有的轻松迅捷。

它能让您的移动设备、嵌入式系统或工业计算机运行如飞。1.1V的低压设计高效节能,显著延长电池续航;而-30°C至85°C的宽温适应能力,则确保了它在各种苛刻环境下依然稳定可靠。选择它,就是选择了一种让产品性能脱颖而出的高效保障。

  • 制造商产品型号:MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 556VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:48Gb(768M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:556-VFBGA
  • MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR 基本参数:

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