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还在为设备的多任务卡顿和能耗焦虑而烦恼吗？MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR就是您期待的答案。这颗美光出品的48Gb移动LPDDR4 DRAM，能为您的高端移动与嵌入式设备提供海量、高速的数据暂存空间，其2133MHz的时钟频率让数据吞吐迅猛如电，而1.1V的低压供电则显著提升了系统能效，让您的产品在性能竞赛中既能全力冲刺，又能持久续航。

它能让您的智能手机轻松驾驭4K视频编辑与大型游戏，让AI计算设备高效处理实时流数据，也能让车载系统稳定运行于各种严苛环境。采用紧凑的376-WFBGA封装，它帮助您最大化利用板级空间，实现更精巧、更强大的产品设计。选择它，就是选择了一个经过验证的高性能内存核心，让您的创意不再受限于硬件瓶颈。

• 型号:MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:376-WFBGA（14x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:48Gb
• 存储器组织:768M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:376-WFBGA
• 供应商器件封装:376-WFBGA（14x14）
• MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。