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MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
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MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E 规格参数

您正在为下一代智能设备寻找一颗强大、高效且可靠的心脏吗?MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E正是您期待的答案。这颗美光LPDDR4移动内存芯片,拥有32Gb的海量存储空间和高达2133MHz的运行速度,能轻松驾驭多任务处理、高清视频流和大型图形渲染,让您的设备响应如闪电般迅捷,用户体验流畅无比。

更重要的是,它采用先进的低功耗设计,工作电压仅1.1V,能显著延长手机、平板、可穿戴设备的电池续航,让高效能与长续航完美兼得。其宽广的工作温度范围(-30°C ~ 105°C)还确保了在各种严苛环境下的稳定运行,无论是炎夏还是寒冬,您的产品都能持续可靠地工作。选择它,就是为您的产品选择了卓越的性能基石与能效优势。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E 基本参数:

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