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您是否渴望为您的移动设备注入一颗强劲且高效的心脏？MT53D512M64D4NZ-046 WT:E正是这样一款专为高性能、低功耗需求而生的LPDDR4移动DRAM。它拥有32Gb的大容量和高达2133MHz的运行速度，让您的应用程序加载更快，多任务切换如行云流水，彻底告别卡顿等待。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。1.1V的低电压设计，配合美光先进的工艺技术，在爆发强劲数据吞吐力的同时，能显著降低系统整体功耗，直接延长智能手机、平板电脑等终端设备的电池续航时间。其表面贴装的376-WFBGA封装形式，更让您能轻松实现紧凑的电路板设计，打造出更轻薄、更时尚的终端产品。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• MT53D512M64D4NZ-046 WT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。