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还在寻找能让您的移动设备“快人一步”的核心内存方案吗？MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E就是您期待的答案。这颗美光出品的32Gb LPDDR4芯片，能为您提供高达2133MHz的疾速数据通道和512M x 64的宽位带宽，轻松应对大型应用、高清多媒体和复杂多任务处理的苛刻需求，让系统运行如行云流水般顺畅高效。

它不仅仅追求速度，更注重能效平衡。1.1V的低电压设计，让您在享受澎湃性能的同时，有效控制整体功耗，显著提升设备的续航能力。其宽温特性（-30°C ~ 105°C）确保了在各种环境下的稳定表现，无论是消费电子还是严苛的工业场景，都能让您的产品拥有值得信赖的“记忆心脏”。选择它，就是为您的设计选择了可靠的速度基石与能效典范。

• 型号:MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:512M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E，Micron（美光）产品一站式供应商。