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还在为系统数据处理速度跟不上而烦恼吗？MT41K256M4JP-125:G正是您期待的解决方案。这颗美光出品的1Gb DDR3 SDRAM，拥有高达800MHz的运行频率和并联接口，能为您的高速设备提供充沛的数据吞吐带宽，让海量信息得以瞬间存取，彻底释放系统性能。

它采用紧凑的78-TFBGA表面贴装封装，帮助您轻松优化电路板布局。其宽电压（1.283V-1.45V）与宽温（0°C至95°C）的工作特性，确保了在各种复杂环境下都能稳定高效运行，极大提升了您产品的可靠性和适应性。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或嵌入式系统选择了一个值得信赖的高性能“记忆核心”。

• 型号:MT41K256M4JP-125:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
• MT41K256M4JP-125:G，Micron（美光）产品一站式供应商。