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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E 规格参数

还在为设备的内存性能与功耗平衡而烦恼吗?MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E就是您期待的答案。这颗来自美光科技的32Gb LPDDR4移动DRAM,凭借1866MHz的高频与1.1V的低电压供电,能为您的高端移动设备、车载系统或嵌入式应用带来惊人的数据传输速度与卓越的能效表现。

它让您的设备轻松应对多任务并行处理、高清视频流播放以及复杂图形运算,大幅提升系统响应速度与流畅度。其表面贴装的432-VFBGA封装节省空间,宽广的工作温度范围确保在各种环境下稳定运行。选择它,就是选择为您的产品植入一颗高效、可靠且动力十足的内存核心。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 432VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:432-VFBGA
  • MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E 基本参数:

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