我们为全球各个行业提供Micron（美光） M29W800DB70ZE6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找稳定高效的“大脑”记忆单元吗？M29W800DB70ZE6E就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR闪存芯片，能以70ns的快速访问时间，让您的系统高效读取关键代码与数据。其1M x 8或512K x 16的灵活组织方式，完美适配多种微处理器接口。

更令人放心的是，它拥有2.7V~3.6V的宽电压适应能力与-40°C ~ 85°C的工业级工作温度范围，确保在电力波动或极端环境下依然稳定运行，极大提升了产品的环境适应性与可靠性。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或网络设备选择一个经久耐用、值得信赖的存储伙伴。

• 型号:M29W800DB70ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29W800DB70ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。