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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR正是您突破限制的利器。这颗由美光科技出品的16Gb LPDDR4移动DRAM，以其高达2133MHz的澎湃速度，能瞬间提升您系统的数据吞吐能力，让应用程序加载更快、多任务处理更流畅，彻底告别卡顿等待。

它专为追求高效能与长续航的应用而生。1.1V的低工作电压设计，显著降低了整体功耗，让您的移动设备或嵌入式系统在保持强劲性能的同时，拥有更持久的续航表现。其宽达32位的数据总线与512M的深度配置，确保了大规模数据访问的高效率，无论是处理高分辨率图像、流畅播放4K视频，还是运行复杂的AI算法，它都能轻松应对，成为您产品核心的可靠记忆伙伴。

• 制造商产品型号：MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（512M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：200-WFBGA
• MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。