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MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR 零件图片(仅供参考)

MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR
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MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR 规格参数

还在寻找能点燃您产品性能引擎的核心内存方案吗?MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的24Gb LPDDR4移动DRAM,以高达1866MHz的速度和384M x 64的位宽,为您构建起一条高速数据通道,让您的设备处理多任务、加载大型应用或运行AI算法时,都能感受到前所未有的流畅与迅捷。

更令人心动的是,它在爆发强大性能的同时,却保持着惊人的“冷静”。1.1V的低电压供电,显著降低了系统整体功耗,直接为您的移动设备延长续航时间。其宽广的-30°C至85°C工作温度范围,更能确保在各种严苛环境下稳定运行,极大拓展了产品的应用边界。选择它,就是选择了一个能让您轻松实现高性能、低功耗与高可靠性三重目标的智能内存解决方案。

  • 制造商产品型号:MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 1866MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb(384M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR 基本参数:

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