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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E 零件图片(仅供参考)

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E 规格参数

还在为设备的多任务处理能力和响应速度而烦恼吗?MT53D1G64D8NZ-046 WT:E正是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的64Gb移动LPDDR4 DRAM,能以高达2133MHz的速度运行,为您的高端移动设备注入澎湃动力,让应用加载、大型文件传输和复杂计算变得瞬间完成。

它采用先进的1.1V低电压设计和紧凑的376球WFBGA封装,在为您提供海量数据吞吐能力的同时,显著优化功耗与空间占用。这意味着您能轻松设计出续航更持久、机身更纤薄,且性能爆表的智能产品。无论是应对严苛的温度环境还是高强度的持续读写,它都能稳定高效地工作,让您的产品体验始终流畅如新。

  • 制造商产品型号:MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:64Gb(1G x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:376-WFBGA
  • MT53D1G64D8NZ-046 WT:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E 基本参数:

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