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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E 零件图片(仅供参考)

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E 规格参数

还在寻找能让您的设备性能脱颖而出的核心存储部件吗?MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb MLC NAND闪存芯片,专为应对高强度数据任务而设计。它能轻松容纳海量应用程序、高清媒体文件与系统数据,让您的设备告别存储空间不足的烦恼,实现更快的启动速度和更流畅的多任务切换体验。

凭借其先进的架构与可靠的MLC技术,它能为您提供高效稳定的数据读写服务。无论是用于加速消费电子产品,还是保障工业级设备的持续可靠运行,它都能出色胜任。选择它,就是为您的产品选择了一个强大、耐用且高效的数据存储基石,让您在开发高性能应用时更加得心应手。

  • 型号:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(MLC)
  • 存储容量:512Gb
  • 存储器组织:64G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E 基本参数:

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