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还在为设备的内存性能与功耗难以兼得而烦恼吗？让MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR为您带来颠覆性的解决方案。这颗来自美光科技的24Gb LPDDR4移动DRAM，能以高达1866MHz的速度极速响应，轻松处理多任务与大型应用，同时凭借仅1.1V的低工作电压，显著延长设备的续航时间。

它能让您的智能手机、平板电脑或嵌入式系统运行如飞，用户体验丝滑顺畅。其紧凑的200-VFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），更让您在设计高性能、高可靠性产品时游刃有余，轻松应对各种复杂应用场景的挑战。

• 型号:MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:24Gb
• 存储器组织:768M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。