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它不仅仅追求速度，更精于能效管理。1.1V的低工作电压设计，让您在享受澎湃性能的同时，显著降低系统功耗，轻松延长手机、平板或物联网设备的电池续航。其宽温特性（-30°C ~ 85°C）确保了在各种极端环境下依然稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。选择它，就是为您的设计注入一颗高效、可靠且强大的“数据心脏”。

• 型号:MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:512M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。