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MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR
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MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR 规格参数

还在寻找能让您的智能设备“大脑”飞速运转,同时又保持冷静省电的核心内存方案吗?MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR就是您期待的答案。这颗32Gb容量的LPDDR4移动DRAM,如同为设备注入了强劲而高效的能量源泉,让您轻松驾驭多任务处理与高性能运算。

它凭借高达1600MHz的时钟频率,大幅提升数据吞吐速率,确保应用切换、高清内容加载和复杂算法运行都无比流畅。同时,先进的低功耗设计(1.1V供电)能显著优化系统整体能耗,直接延长终端设备的续航时间。无论是打造旗舰手机、高端平板,还是智能汽车座舱、AI边缘计算设备,选择它,就是选择了卓越的性能与能效平衡,让您的产品在体验上快人一步,在市场上更具竞争力。

  • 制造商产品型号:MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1600MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR 基本参数:

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