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还在为经典设备的内存升级或维护寻找可靠的“动力源”吗？MT47H16M16BG-5E:B TR就是您的高效答案。这颗美光出品的256Mb DDR2 SDRAM芯片，能以200MHz的时钟频率和仅600ps的快速访问时间，让您的系统数据吞吐流畅自如，轻松应对各种实时处理任务。

它采用1.8V供电和84-FBGA紧凑封装，不仅节能，更能帮您优化PCB空间布局。无论是用于现有产品的维护升级，还是成熟新品的成本优化设计，它都能让您以更低的总体拥有成本，获得经市场验证的稳定性能，大幅缩短产品上市周期。

• 型号:MT47H16M16BG-5E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-FBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x14）
• MT47H16M16BG-5E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。