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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B 零件图片(仅供参考)

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B 规格参数

还在寻找能让您的高端移动设备“快人一步”的核心内存吗?MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B正是您期待的答案。这颗美光LPDDR4移动内存芯片,以其16Gb的大容量和1600MHz的高频率,为您构建了一个高速数据通道,让应用程序加载、大型文件处理和多任务切换变得无比迅捷,彻底告别等待。

它不仅仅追求速度,更注重能效平衡。1.1V的低电压供电设计,让您的设备在释放强劲性能的同时,显著延长电池续航,实现高性能与长待机的兼得。无论是用于下一代平板电脑、二合一设备,还是车载系统、工业网关,它都能轻松应对,提供稳定可靠的数据支撑,让您的产品设计更具竞争力和吸引力。

  • 制造商产品型号:MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(512M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
  • MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B 基本参数:

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