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还在为移动设备的性能瓶颈而烦恼吗？MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR就是您期待的答案。这颗16Gb容量的LPDDR4移动DRAM，能以高达1600MHz的速度与您的处理器高效协同，瞬间处理海量数据，让您的应用程序加载更快、多任务切换更流畅，彻底释放设备的潜能。

它专为追求极致的移动体验而设计。1.1V的低电压供电显著降低了系统功耗，延长电池续航；同时，其宽广的工作温度范围（-30°C ~ 105°C）确保了在各种环境下的稳定可靠。无论是打造旗舰智能手机、高性能平板，还是轻薄的二合一笔记本，选择它，就是选择了高效、稳定与卓越能效的完美结合，让您的产品在竞争中快人一步。

• 型号:MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。