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还在为设备内部空间捉襟见肘而烦恼吗？MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR为您提供一站式解决方案！它将4Gb容量的NAND闪存与同样4Gb容量的低功耗移动DRAM（LPDRAM）完美融合于一颗137-TFBGA封装内，让您轻松实现数据存储与高速运行内存的统一管理，极大简化了PCB布局设计。

这颗芯片能为您做什么？它让您的设备拥有海量存储空间的同时，享受高达200MHz的高速数据吞吐能力，确保应用程序运行流畅无阻。其1.7V~1.95V的低电压范围专为移动设备优化，有效延长电池续航。无论是智能手机的敏捷响应，还是工业平板电脑的稳定可靠，它都能提供高效、节能的核心存储支持，助您打造更具竞争力的智能终端产品。

• 型号:MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:137-TFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:137-TFBGA
• 供应商器件封装:137-TFBGA（10.5x13）
• MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。