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MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR
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MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR 规格参数

还在寻找能同时引爆性能与能效的内存解决方案吗?MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR就是您的答案。这颗美光出品的24Gb LPDDR4移动DRAM,能以高达1866MHz的速度疾速响应,轻松应对多任务切换与大型数据负载,彻底告别卡顿,让您的设备运行如飞。

更令人心动的是,它在提供强大数据吞吐能力的同时,凭借1.1V低电压设计和先进的工艺,显著降低了功耗。这意味着您能为终端用户带来更持久的续航体验,在性能竞赛中赢得关键优势。无论是打造旗舰移动设备、高性能平板,还是可靠的嵌入式系统,它都能让您的产品设计游刃有余,高效实现性能与能效的完美平衡。

  • 制造商产品型号:MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 1866MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb(384M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR 基本参数:

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