我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的内存带宽瓶颈而烦恼吗？MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR就是您突破极限的利器。这颗美光LPDDR4移动DRAM，拥有24Gb（384M x 64）的大容量和1600MHz的高频率，能为您的高性能移动设备提供源源不断的数据洪流，让复杂的多任务处理、高清视频渲染和大型游戏加载都变得行云流水。

它专为高效而生。1.1V的低电压核心设计，在爆发强劲性能的同时，显著优化了系统功耗，直接助力延长终端设备的电池续航，让您的产品在能效比上脱颖而出。采用紧凑的366-WFBGA封装，节省宝贵的PCB空间，让您能更灵活地追求更轻薄、更时尚的产品设计。

无论是智能手机、平板、二合一笔记本还是其他智能终端，这颗芯片都能让您的产品响应更迅捷，体验更流畅，轻松满足当今用户对速度和效率的苛刻要求。

• 制造商产品型号：MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 24GBIT 1600MHZ 366WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：24Gb（384M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：366-WFBGA
• MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。