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还在为设备的内存性能瓶颈而妥协吗？MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR这颗来自美光科技的12Gb移动LPDDR4 DRAM，正是为您打破限制而设计的利器。它以1600MHz的高频和32位宽总线，为您提供澎湃的数据吞吐能力，让您的应用程序运行得更快、更流畅。

这颗芯片能轻松胜任各类高要求任务。无论是让您的移动设备实现多应用无缝切换，还是支撑车载系统进行复杂的实时数据处理，其1.1V的低功耗设计和宽温特性都能确保长时间稳定高效的运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏，让您在开发高性能、高响应度设备的道路上事半功倍。

• 型号:MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。