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还在为设备的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT41K2G4RKB-107:P TR为您带来改变。这颗来自美光科技的8Gb DDR3L SDRAM芯片，是专为高性能、低功耗应用设计的存储利器。其933MHz的高时钟频率与并联接口，能为您提供迅猛的数据交换能力，轻松应对高清视频流、实时控制信号等大数据量处理任务。

更重要的是，它采用了先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在提供强劲动力的同时，显著降低系统整体功耗，让您的设备续航更持久。无论是嵌入到工业控制器、网络设备，还是高端消费电子中，它都能凭借其高可靠性和宽温工作特性（0°C~95°C），确保系统长时间稳定高效运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强大而高效的“数据心脏”。

• 型号:MT41K2G4RKB-107:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K2G4RKB-107:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。