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MT29F128G08CECDBJ4-6R:D 零件图片(仅供参考)

MT29F128G08CECDBJ4-6R:D
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MT29F128G08CECDBJ4-6R:D 规格参数

还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的“老兵”吗?MT29F128G08CECDBJ4-6R:D正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片,拥有高达166MHz的并行接口,能为您的高速设备提供澎湃的数据吞吐能力,让系统运行如飞。

它采用成熟的工艺和稳定的架构,宽电压设计(2.7V-3.6V)和0°C至70°C的工作温度范围,让您的产品在面对复杂供电环境和温度波动时依然坚若磐石。无论是用于工业控制、网络存储还是高端打印设备,它都能轻松胜任,为您提供高效、可靠的非易失存储解决方案,是保障关键数据万无一失的放心之选。

  • 型号:MT29F128G08CECDBJ4-6R:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb
  • 存储器组织:16G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29F128G08CECDBJ4-6R:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F128G08CECDBJ4-6R:D 基本参数:

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