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还在为设备的数据存储容量和速度发愁吗？MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR将彻底改变这一局面。这颗由美光科技打造的1Tb大容量并行NAND闪存，能为您的高速设备提供一个海量、迅捷且稳定的数据仓库，轻松应对从4K视频缓冲到大型实时数据库写入等各种繁重任务。

它拥有高达333MHz的时钟频率，配合并行接口，让数据吞吐如虎添翼，极大提升系统响应效率。宽广的工作电压与温度范围，确保了它在各种复杂环境下都能稳定工作，让您的产品设计更具韧性和可靠性。选择它，就是为您的核心应用注入一颗强劲、可信的数据引擎。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。