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它专为追求高性能与低功耗的移动场景优化。1.1V的低电压设计，在爆发出强劲性能的同时，为您显著节省电力，轻松延长手机、平板等设备的续航。其表面贴装型200-WFBGA封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下的高可靠性与稳定性。选择它，就是选择了一个能让您的产品在激烈市场中脱颖而出的高效、可靠的存储解决方案。

• 型号:MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。