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还在为移动设备的性能瓶颈而烦恼吗？MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR将彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的12Gb移动LPDDR4 DRAM芯片，以其1600MHz的高频和宽32位架构，为您提供澎湃的数据带宽，让您的应用能够轻松驾驭多任务处理、高清媒体播放和大型游戏渲染，瞬间提升系统响应速度。

它不仅仅追求速度，更注重能效平衡。1.1V的低工作电压设计，让您在享受流畅性能的同时，有效控制功耗，延长设备续航。其坚固的200球WFBGA封装和宽温支持，确保了在各种环境下的稳定可靠，是您打造高端、耐用移动产品的理想内存解决方案。

• 型号:MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。