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还在为移动设备的性能瓶颈而烦恼吗？MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR就是您期待的解决方案。这颗美光出品的6Gb LPDDR4移动DRAM，以1600MHz的高频和1.1V低电压运行，能显著提升您设备的数据处理速度，同时大幅降低功耗，让您的产品运行更流畅、续航更持久。

它专为 demanding 的移动应用场景优化，无论是多任务处理、高清媒体播放还是大型游戏，都能提供稳定高效的内存支持。其宽温特性（-30°C ~ 85°C）确保了在各种环境下的可靠性。选择它，就是为您的设备选择了一颗强劲、可靠的心脏，让您轻松构建出更具竞争力的高性能移动产品。

• 制造商产品型号：MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 6GBIT 1600MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：6Gb（384M x 16）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。