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它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，能有效延长设备的电池续航，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。同时，其宽温特性（-30°C ~ 105°C）确保了在各种严苛环境下依然稳定可靠，让您轻松打造出性能强劲且耐用持久的高品质终端设备。

• 型号:MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。