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您是否希望为您的移动设备注入一颗强劲且高效的“内存引擎”？MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR正是这样一款专为高性能、低功耗场景设计的LPDDR3 DRAM芯片。它基于美光科技的先进工艺，集成了高达16Gb的存储容量，配合1067MHz的高速时钟，能够瞬间响应处理指令，让您的应用程序运行如飞，彻底告别卡顿与等待。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。1.2V的低工作电压显著降低了系统整体功耗，直接延长了终端设备的续航时间。同时，其宽泛的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）和坚固的253-VFBGA表面贴装封装，确保了在各种环境下的长期稳定运行。无论是追求极致体验的消费电子，还是要求严苛的工业应用，它都能提供可靠的数据吞吐支持，让您的产品设计更高效，表现更出众。

• 型号:MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:253-VFBGA（11x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 1067MHZ 253VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:256M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1067 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.2V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:253-VFBGA
• 供应商器件封装:253-VFBGA（11x11.5）
• MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。