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还在为关键设备寻找一颗久经考验、稳定如磐的内存核心吗？MT49H16M18SJ-25:B就是您值得信赖的答案。这颗美光出品的288Mb并行DRAM，能以400MHz的高速时钟和低至20ns的访问时间，让您的系统数据交换快人一步，轻松应对实时控制与高速数据缓冲的挑战。

它采用1.7V~1.9V低电压运行，有效帮助您降低系统整体功耗，同时其0°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在严苛工业环境下的稳定表现。无论是用于通信设备的帧缓存，还是工业自动化中的程序与数据存储，它都能让您的设计高效运转，可靠性倍增。

• 型号:MT49H16M18SJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M18SJ-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。