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MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR
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MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR 规格参数

还在寻找能同时点燃设备性能并延长电池寿命的内存方案吗?MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR正是您期待的答案。这颗美光LPDDR3移动内存芯片,拥有高达8Gb(256M x 32)的容量和933MHz的运行频率,能为您的高端移动设备提供疾速的数据读写带宽,确保多任务处理和应用加载行云流水。

更令人心动的是,它在释放强大性能的同时,仅需1.2V低电压供电,能显著降低系统整体功耗,直接助力延长您的终端产品续航时间。其宽温工作特性(-30°C ~ 85°C)更能让您的设备适应各种苛刻环境,保障稳定运行。选择它,就是为您的产品选择了一条兼顾高性能、低功耗与高可靠性的捷径,让您轻松打造出更具市场竞争力的智能设备。

  • 制造商产品型号:MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 933MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:8Gb(256M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:933MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.2V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR 基本参数:

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