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还在为系统内存带宽不足而限制创新步伐吗？MT44K16M36RB-107E:B正是为您破局而生的利器。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达933MHz的速度运行，配合8ns的快速访问时间，让您的设备在处理海量数据流时，依然能够保持行云流水般的响应速度。

它能让您轻松驾驭网络基础设施、高性能计算加速卡以及需要实时数据交换的复杂系统。其1.28V~1.42V的低电压工作范围和宽温特性，更确保了在追求极致性能的同时，依然拥有出色的能效比与可靠性。选择它，就是为您的核心硬件注入一颗高效、稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT44K16M36RB-107E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K16M36RB-107E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。