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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H8M36FM-5 TR为您开启高效数据处理的崭新篇章。这颗美光出品的288Mb并行DRAM，凭借200MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，能轻松胜任高速数据缓存与交换的核心任务，让您的设备响应更迅捷，运行更流畅。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，有效帮助您控制整体系统功耗，同时其宽温（0°C ~ 95°C）工作特性确保了在苛刻环境下的稳定表现。无论是工业控制、通信设备还是需要可靠临时存储的各类应用，这颗芯片都能成为您系统中值得信赖的“数据中转站”，助您轻松构建高性能、高可靠性的解决方案。

• 型号:MT49H8M36FM-5 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36FM-5 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。