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还在寻找能驱动您高端设备飞速运转的内存解决方案吗？MT49H8M36FM-25:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的288Mb并行DRAM，拥有400MHz的高时钟频率和仅20ns的访问时间，能轻松胜任海量数据的实时高速处理任务，让您的系统响应如闪电般迅捷。

其1.7V~1.9V的低电压设计和8M x 36的宽位架构，在保证强大数据吞吐能力的同时，实现了出色的能效控制。无论是用于复杂的算法加速，还是作为大数据流的缓冲核心，它都能让您的设计游刃有余，性能表现始终稳定可靠。

• 制造商产品型号：MT49H8M36FM-25:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：DRAM
• 存储容量：288Mb（8M x 36）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：400MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：20ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：144-TFBGA
• MT49H8M36FM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。